8英寸4H-碳化硅N型导电衬底
SiC · 8英寸；直径199.5–200.0 mm；厚度500±25 μm
- 材料
- SiC
- CAS
- 409-21-2
- 化学式
- SiC
- 类别
- 晶体与光学
- 形态
- 箔/片/板
- 规格
- 8英寸；直径199.5–200.0 mm；厚度500±25 μm
- 分类路径
- 晶体 / 晶体基片
可询价规格
- 精选级 / 500±25 μm
- 精选级 / 350±25 μm
- 工业级 / 500±25 μm
- 工业级 / 350±25 μm
- 测试级 / 500±25 μm
- 测试级 / 350±25 μm
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